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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 6234 个

  • 新产品上线 KNX6303A 12A/30V规格书/参数/封装/价格-KIA MOS管

    KIA半导体MOS管 6303产品特点：Vds=30VRDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@12ARDS(ON)=11.5mΩ(typ.),VGS@4.5V,Ids@6A先进的沟道工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计完全特征雪崩电压和电流

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    www.kiaic.com/article/detail/1702.html         2019-06-12

  • mos管直流特性与导通特性-JFET与MOS管直流特性分析比较-KIA MOS管

    mos管直流特性，场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JEFT)和绝缘栅场效应管(MOSFET)，在分析比较它们的直流特性之前，首先对它们的结构和原理作简单的比较。JFET按导电沟道可分为N沟...

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    www.kiaic.com/article/detail/1701.html         2019-06-12

  • 35A/60V KNX8606 低压MOS管原厂供货-产品资料在线预览-KIA MOS管

    8606是高密度沟槽N型MOSFETS，具有优良的RDSON性能。和栅极充电为大多数同步降压转换器的应用。8606满足RoHS标准和绿色产品要求，100％的安全评价保证充分的功能可靠性。KNX8606 35A/60V产品参数：产品型号：KIA8606A工作方式：35A/60V漏源极电压：60V栅源电压...

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    www.kiaic.com/article/detail/1700.html         2019-06-11

  • 结场效应管结构与符号-结场效应管测量步骤与方法-KIA MOS管

    结场效应管，JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N...

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    www.kiaic.com/article/detail/1699.html         2019-06-11

  • 未来晶圆发展应用与硅晶圆制造步骤-晶圆制造到底难在哪里-KIA MOS管

    晶圆发展晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯...

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    www.kiaic.com/article/detail/1698.html         2019-06-11

  • KNX3206 PDF中文资料下载-原厂供货稳定 免费送样-KIA MOS管

    MOS管KNX3206A 110A/60V产品主要参数：产品型号：KNX3206A工作方式：110A/60V漏至源电压:60V门到门限电压:±20V单脉冲雪崩能:288MJ接头和储存温度范围:-55℃至+175℃

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    www.kiaic.com/article/detail/1697.html         2019-06-10

  • MOS管检测步骤-大小功率MOS管详细分析与经验总结-KIA MOS管

    MOS管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。大小功率MOS管详细分析及经验总结

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    www.kiaic.com/article/detail/1696.html         2019-06-10

  • 三极管工作状态-三极管开关电路工作原理-三极管开关作用-KIA MOS管

    三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管开关电路工作原理解析，下面是三极管开关电路工作原理，图一所示是NPN三极管的 共射极电路，...

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    www.kiaic.com/article/detail/1695.html         2019-06-06

  • 如何区分场效应管的三个极-场效应管极性判断方法详解-KIA MOS管

    场效应管极是如何区分的：1.判断栅极G，MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率。2.判断源极S、漏极D将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换...

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    www.kiaic.com/article/detail/1694.html         2019-06-06

  • HY3210 100V/120A MOS规格书-HY3210封装-HY3210参数-KIA MOS管

    MOS管 3210产品特点：RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V雪崩测试100%可靠、坚固无铅和绿色设备

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    www.kiaic.com/article/detail/1693.html         2019-06-06

  • MOS管的作用是什么-P沟道MOS管工作原理及特点详解-KIA MOS管

    MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件...

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    www.kiaic.com/article/detail/1692.html         2019-06-05

  • irfr5410 mos管引脚图-MOS管 irfr5410规格书下载、参数-KIA MOS管

    MOS管 irfr5410产品特点：1、超低导通电阻 2、P沟道 3、先进工艺技术 4、快速切换，文中有irfr5410 mos管引脚图与封装图详情。

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    www.kiaic.com/article/detail/1691.html         2019-06-05

  • KNX3706A 50A/60V N沟道MOS管中文资料、封装、参数-KIA MOS管

    KNX3706A 50A/60V产品参数：电流：50A电压：60V漏源极电压：60V栅源电压：±20V脉冲漏电流：100A单脉冲雪崩能：72.2MJ雪崩电流：38A接头和储存温度范围：-55℃至150℃总功耗：42W漏源击穿电压:60V输入电容：3220pF输出电容：210pF反向转移电容：145pF连续源...

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    www.kiaic.com/article/detail/1688.html         2019-06-04

  • HY1607 PDF中文资料-HY1607参数-HY1607封装引脚图-KIA MOS管

    HY1607,HY1607参数,HY1607封装：HY1607产品特点68V/80ARDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS =10V雪崩测试100%可靠且坚固无铅和绿色设备

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    www.kiaic.com/article/detail/1687.html         2019-06-03

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